S-dobby의 자기계발

NMOS, PMOS의 ComplementaryCMOS 성능은 NFET과 PFET의 조화 평균이며N과 P의 서로 다른 물성인 Tmax, 최대격자온도는특정 Gate Voltage, 0.7V에서 상반된열적 성능 변화를 야기합니다. 왜일까요? parasitic bottom Leakage - punch through 불량의 MBCFET(NSFET) 구조적 대안parasitic bottom Leakage - punch throughMBCFET(NSFET)에서의 구조적 대안 2024년 따끈따끈한 포스텍 논문입니다.요즘 반도체 업계에는 Heat이 말 그대로 뜨겁습니다. 그래서 반도체 냉각 기술 관련주케이엔솔s-dobby.tistory.com 이전 SHE(Self Heating Effect)를 다룬 논문Accurat..

parasitic bottom Leakage - punch throughMBCFET(NSFET)에서의 구조적 대안 2024년 따끈따끈한 포스텍 논문입니다.요즘 반도체 업계에는 Heat이 말 그대로 뜨겁습니다. 그래서 반도체 냉각 기술 관련주케이엔솔과 SK이노베이션을 최근 모으고 있었고오늘 케이엔솔은 호재가 뜬거 같은데SK이노베이션은 연 중 최저가를 기록하고 있네요ㅠㅜ 중국발 석유화학, 배터리 때문인듯... 암튼,, 위 이미지는 최신형 MBCFET(또는 NSFET) 구조FINFET은 상어 지느러미가 얇아지다 못해휘청거려 더이상 못쓰게 되니 확실한 차세대인데,,여기에 BackSide로도 배선을 까는 BSPDN의도입으로 위아래 양쪽으로 낑겨 열이 못빠져나오죠.이게 바로 SHE(Self-Heating Eff..

반도체에서 성능 저하하면, Trap전계 트랩이라고 많이 들어봤을텐데이번에 명확히 이해까지는 못하겠지만,,추후, 연구에 실적용을 위해 계면 트랩 밀도구하는 식을 알아보려 합니다. 2006년 발행된 논문Impact of strained-Si thickness and Geout-diffusion on gate oxide quality forstrained-Si surface channel n-MOSFETs interface trap density(Dit)을 구하는Hill's Method 식이 잘 나와있습니다.여기 또 reference 걸려있긴 하지만.. pass SiGe 계면에서의 전계 트랩 밀도를 구하는데무슨 트랩인가? 저번 논문 리뷰 때 봤었죠. Oxidation studies of SiGe vs pur..

Ge 농도가 높을수록 SiGe의 산화속도는 빨라짐하지만, Ge는 촉매(Catalyst)로 작용하여 GRL을만들고 장시간 경과 후엔 산화속도가 느려짐SiO2/GRL/SiGe 반도체는 곧 Silicon, 공정에 있어Germanium(게르마늄 or 저마늄)은Si과 같은 족이라 격자상수가 비슷하면서유의차 있는 특성을 가진 물질로, SiGeSilicon-Germanium는 아주 중요합니다.특히나, 차세대 MBCFET에서는.. 무려 1989년 발행된 Oxidation studies of SiGe논문에 따르면, Ge은 촉매(catalyst)로서 작용하여pure-Si 대비 약 3배의 속도로 Si+산화물을 만들고SiO2/SiGe 계면에 축적된다 라고 되어있습니다. 아쉽게도 무료 공개는 아니라 말로 설명하면XPS(X-r..